聚焦離子束顯微鏡FIB主要用途: 芯片的電路修補、斷面切割、透射電鏡樣品制備。

聚焦離子束顯微鏡FIB應用范圍:

1.定點切割 

2.穿透式電子顯微鏡試片 

3.IC線路修補和布局驗證 

4.制程上異常觀察分析 

5.晶相特性觀察分析 

6.故障位置定位用被動電壓反差分析。

在各類應用中，以線路修補和布局驗證這一類的工作有很大經濟效益，局部的線路修改可省略重作光罩和初次試作的研發成本，這樣的運作模式對縮短研發到量產的時程絕對有效，同時節省大量研發費用。在各類應用中，以線路修補和布局驗證這一類的工作有很大經濟效益，局部的線路修改可省略重作光罩和初次試作的研發成本，這樣的運作模式對縮短研發到量產的時程絕對有效，同時節省大量研發費用。封裝后的芯片，經測試需將兩條線路連接進行功能測試，此時可利用聚焦離子束系統將器件上層的鈍化層打開，露出需要連接的兩個金屬導線，利用離子束沉積Pt材料，從而將兩條導線連接在一起，由此可大大縮短芯片的開發時間。

這也是芯片解密常用到手法。 

利用聚焦離子束進行線路修改，（A）、（B）將欲連接線路上的鈍化層打開，（C） 沉積Pt材料將兩個線路連接起來。

芯片線路修改：

其實FIB被應用于修改芯片線路只是其功能之一，這里介紹一下另幾個功能：樣品原位加工 可以想象，聚焦離子束就像一把尖端只有數十納米的手術刀。離子束在靶材表面產生的二次電子成像有納米級別的顯微分辨能力，所以聚焦離子束系統相當于一個可以在高倍顯微鏡下操作的微加工臺，它可以用來在任何一個部位濺射剝離或沉積材料。圖1是使用聚焦離子束系統篆刻的數字；圖2則是在一個納米帶上加工的陣列孔；圖3是為加工的橫向存儲器單元陣列。

剖面制備觀察 微電子、半導體以及各型功能器件領域中，由于涉及工藝較多且繁雜。一款器件的開發測試中總會遇到實際結果與設計指標的偏差，器件測試后的失效，邏輯功能的異常等等，對于上述問題的直觀可靠的分析就是制備相應的器件剖面，從物理層次直觀的表征造成器件異常的原因。

電鏡：

透射（TEM）制樣 無論是透射電鏡還是掃描透射電鏡樣品都需要制備非常薄的樣品，以便電子能夠穿透樣品，形成電子衍射圖像。傳統的制備TEM樣品的方法是機械切片研磨，用這種方法只能分析大面積樣品。采用聚焦離子束則可以對樣品的某一局部切片進行觀察。與切割橫截面的方法一樣，制作TEM樣品是利用聚焦離子束從前后兩個方向加工，最后在中間留下一個薄的區域作為TEM觀察的樣品。下圖所示為TEM制樣的工藝過程。